用途场景
规格参数
产品概述
最真实的信号呈现
SigOFIT光隔离探头具有极高的共模抑制比,在200MHz时CMRR高达122dB、在1GHz时CMRR仍然高达108dB,是判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判。
极高的测试精度与稳定性
作为判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判,测试精度是SigOFIT光隔离探头的重要指标。SigOFIT光隔离探头,具有极佳的幅频特性,直流增益精度优于1%,底噪小于1.46mVrms,预热后零点漂移小于500μV。
第三代半导体的最佳测试手段
第三代半导体器件由于导通与关断时间很短,信号具有更快的上升沿和下降沿,信号中具有很高能量的高频谐波,SigOFIT光隔离探头在最高带宽时,仍然具有超100dB的共模抑制比,可以近乎完美地抑制高频共模噪声所产生的震荡,所呈现的信号没有额外多余成分,是第三代半导体测试的不二之选。
测试氮化镓(GaN)不炸管
SigOFIT光隔离探头测试引线短且采用同轴传输,探头输入电容低至2.6pF,测试氮化镓(GaN)十分安全。
使用灵活,高效便捷
SigOFIT光隔离探头比传统高压差分探头体积更小,探头引线更精巧,使用更加灵活方便;探头响应快,上电即测,校准时间小于1秒,可实时保证精确的信号输出。
测试量程更宽
不同于高压差分探头只可以测试高压信号,SigOFIT光隔离探头通过匹配不同的衰减器,可以测试±1.25V至±5000V的差模信号,并实现满量程输出,达到很高的信噪比。
应用场景
对其他电压探头所测结果准确性、真实性存在质疑时,SigOFIT光隔离探头可作为最终裁判依据。 电源设备评估、电流并联测量、EMI 和 ESD 故障排除 电机驱动设计、功率转换器设计 、电子镇流器设计 氮化镓、碳化硅、IGBT半/全桥设备的设计与分析 高压高带宽测试应用的安全隔离测试 逆变器、UPS及开关电源的测试 宽电压、宽带测试应用 各种浮地测试
参数表
| 型号 | OIP1000B | OIP500B | OIP350B | OIP200B |
| 带宽 | 1GHz | 500MHz | 350MHz | 200MHz |
| 上升时间 | ≤450ps | ≤800ps | ≤1ns | ≤1.5ns |
| 共模抑制比 | DC: 180dB 1GHz: 108dB | DC: 180dB 500MHz: 114dB | DC: 180dB 200MHz: 118dB | DC: 180dB 200MHz: 122dB |
| 差模电压 | ±20kV | |||
| 底噪 | <0.3mVrms | |||
| 直流增益精度 | 1% | |||
| 共模电压 | 85kVpk | |||
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