用途场景
研发
实验室研发、新产品开发、技术研究
生产
生产线检测、工艺控制、制造过程监控
品控
质量检验、来料检测、成品测试
合规认证
计量检测、仪器校准、精度验证
教学实训
教学实验、技能培训、实训演示
维修
设备维修、故障诊断、维护保养
规格参数
产品概览
SiC器件、GaN器件、IGBT模块、SiC模块全兼容
封装形式全兼容
支持单管模块和半桥模块的单双脉冲测试试验
满足支持62mm、34mm、HPD、Easy、DUAL等功率模块以及DIP、IPM-5C、N2DIP-26L 、SOP23H等功率模组
产品介绍
高效率：可高效完成开关参数、反向恢复、动态栅极电荷、串扰、雪崩、短路等测试。
高精度：测试使用12bit高分辨率示波器，和高带宽光隔离探头。
高灵活度：多种测试板配置，覆盖高压/中压/低压/PMOS器件开关测试，以及雪崩测试、短路测试等。
数据管理：实时保存测试结果（CSV，tss），可选择同时保存波形数据，自动生成测试报告。
使用方便：符合人体美工学的外观设计，确保使用的舒适性，简洁美观的软件设计，操作简单易学。
温度控制：内置高精度绝缘控温仪，可以对器件进行准确的温度控制。
安全防护：防爆、防触电、防烫伤。
产品参数
硬件组成
温度控制柜
测试柜
系统控制柜
软件
1、支持单/双脉冲开关、单/双脉冲QG、反向恢复、感性/阻性多脉冲开关、RBSOA、短路、雪崩等多种测试；
2、兼容IEC60747-8/9、JESD24等标准，测试结果自动计算；
3、一键测试和器件参数筛选；
4、历史数据浏览和分析；
5、多种测试报告一键生成（单次测试报告、器件多测试类型纵向数据汇总、器件多参数测试数据汇总等）
电气特性
| 分类 | 类型 | 指标 | 规格 |
|---|---|---|---|
| 漏极/集电极 | 源 | 最大电压 | 模块测试 2000V1 高压板2000 V1 中压板1000 V2 低压板150 V3 低压 PMOS 板-150 V4 GaN 测试板1000 V |
| 最大电流 | 模块测试 ≥5000A, 50 μH负载，%2电压跌落 高压板 500 A @ 2000 V, 50 μH负载，%2电压跌落 中压板 500 A @ 1000 V, 50 μH负载，%2电压跌落 低压板 500 A @ 150 V, 50 μH负载，%2电压跌落 低压PMOS板 450 A @ -100 V, 20 μH负载，%2电压跌落 GaN测试板 140 A @ 400 V, 100 μH负载，%2电压跌落 短路测试板 14000A，脉宽≤100μs，支持反偏工作区测试 | ||
| 测量 | 电压精度 | ±2% 读数（典型值） | |
| 电流精度 | ±2% 读数（典型值） | ||
| 采样电阻带宽 | 400 MHz | ||
| 寄生参数 | 主回路寄生杂感 | <20nH | |
| 栅极 | HV高压板 | 驱动电压范围 | 分立器件：3~23V，-2V~-17V 模块：5~25V, -3~-25V |
| 最大电流 | 14 A | ||
| LV低压板 | 驱动电压范围 | -20 V ~ +20 V | |
| 电压分辨率 | 0.1 V （典型值） | ||
| 最大电流 | 7 A | ||
| GaN测试板 | 驱动电压范围 | -8 V/ +10V | |
| 电压分辨率 | 0.1 V （典型值） | ||
| 最大电流 | 7.6 A | ||
| 测量 | 电压精度 | ±2% 读数 （典型值） | |
| 电流精度 | ±2% 读数 （典型值） | ||
| 驱动信号 | 第一次开启脉冲宽度 | 0.1~1000 μs（第一脉宽软件根据参数计算自动设置） | |
| 第一次关断时间 | 0.1~100μs | ||
| 第二次开启时间 | 0.1~100μs | ||
| 栅极电阻 | 安装方式 | 栅极电阻无需焊接，预留晶圆电阻安装孔2个，预留TVS安装孔两组。 | |
| 附件 | 负载空心电感 | 负载空心电感10uH/ 20 uH/ 50uH/ 100 uH/ 200 uH/ 600uH（可定制） | |
| 1.最大直流供电电压2000 V，推荐用于1200 V 至1700 V器件测试，可达到最佳效果。 2.最大直流供电电压1000 V，推荐用于2000 V至1200 V器件测试，可达到最佳效果。 3.最大直流供电电压150 V，推荐用于0至150 V器件测试，可达到最佳效果。 4.最大直流供电电压 -150 V，推荐用于0至-150 V器件测试，可达到最佳效果。 5.负载电感决定了被测器件导通时电流的上升速度，根据公式 ，可知当选择更大电感时，电流上升斜率变小，达到设定电流值所需要的 时间 更长。因此在母线电压和板载电容固定的条件下，为了建立更大的测试电流，可以适当选择更小的电感负载，加快电流上升斜 率。同理，当需要在小电流测试时，可以选择较大的电感值，拉长电流建立时间，以得到更稳点的电流输出波形。根据公式，可以估算所 需要的电感值范围，其中Tp1为第一个脉冲宽度，Iset为测试所需要的电流值，为了得到稳定的测试波形，建议Tp1 为1us~10us。 6. 20μH、50μH、200μH、500μH、1000μH、2000μH共6个档位，电感值可通过软件在线设置，不需要手动接线或修改连接。系统为用户 预留 外接端口以扩展电感串联能力。 |
DUT
| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 单管及模块 | Si MOS (N型、P型)、 SJ MOS、SiC MOS（包含单管及模块）、 IGBT（包含单管及模块）、 GaN HEMT、二极管等 |
| 材料 | Si、SiC、GaN等 |
| 封装 | 标配支持TO-247-3/4、TO-220（直插安装，不需要额外处理管脚），可选配支持TO-263、TO-263-7、TO-252、 SOT23-6L、SOT23-3L、SOP8、DFN8x8、DFN5x6、DFN3x3、DFN3.3x3.3、SOP8、TOLL（其他封装可定制） GaN 器件支持 DFN8*8, TO-252等封装，可根据客户要求定制 模块驱动电路可根据客户封装要求定制 |
