用途场景
研发
实验室研发、新产品开发、技术研究
生产
生产线检测、工艺控制、制造过程监控
品控
质量检验、来料检测、成品测试
合规认证
计量检测、仪器校准、精度验证
教学实训
教学实验、技能培训、实训演示
维修
设备维修、故障诊断、维护保养
规格参数
产品概览
大尺寸晶圆手动电参数测试系统是高校实验室、研究所、小批量器件验证最常用的标配平台。
产品介绍
· 8英寸晶圆兼容
· 微米级精准探针
· 直流/高频高精度电学测试
· 侧重器件电学性能快速表征与工艺验证
主要应用领域
| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 微电子与半导体器件研发 | MOSFET、FinFET、TFET、功率器件、IGBT、 宽禁带器件 (SiC/GaN) 二极管、三极管、晶闸管、整流器件 |
| 集成电路与工艺研发 | 8寸晶圆工艺开发、流片后芯片/器件电性验证 光刻、刻蚀、掺杂、薄膜工艺后的电学性能评估 |
| MEMS与传感器 | 压力传感器、加速度计、微麦克风、气体传感器 等直流/电阻特性测试 |
| 光电器件 | 光电探测器、LED、太阳能电池、光控器件 |
| 新型材料与器件 | 二维材料、氧化物、钙钛矿、有机半导体、忆阻 器、阻变存储器 |
| 失效分析与可靠性 | 芯片漏电、击穿、开路短路、接触不良 器件参数漂移分析 |
核心测试内容
| 基础直流特性（I-V测试） | 输出特性、转移特性 击穿电压、漏电流、开关电流比 肖特基二极管、PN 结正向/反向特性 电阻、电阻率、方块电阻 接触电阻、TLM 传输线模型测试 |
| 电容特性（C-V/C-f测试） | 结电容、氧化层电容 载流子浓度分布、 掺杂浓度 平带电压、 阈值电压、界面态密度 频偏特性C-f |
| 器件关键参数提取 | 阈值电压Vth、跨导gm、导通电阻Rds(on) 载流子迁移率、开关比 lon/loff 理想因子n、势垒高度 漏电机制分析(欧姆/肖特基/空间电荷限制电流SCLC等) |
| 晶圆级中测（CP测试） | 8英寸晶圆上芯片/器件阵列手动点测 良率分析、工艺均匀性评估 小批量芯片筛选、电性分级 |
| 微纳器件测试 | 利用高精度探针台(微米级对准): 小尺寸器件、叉指电极、微结构 纳米线、薄膜器件、霍尔片 多端器件(三端、四端、霍尔结构) |
| 可靠性与老化测试（选配温控） | 若搭配温控吸盘，可扩展： 高低温 I-V/C-V 温度依赖性、热稳定性 简单BTI、HCI 等可靠性测试 |
技术参数
| 测试内容 | IV、CV、Pulse IV | |
| 电压 | 最高：200V 分辨率：10nV | |
| 最大电流 | 最大：10A 分辨率：0.1fA | |
| Pulse | 最高电压：40V 最小宽度：10μs | |
| 探针台 | 操作方式 | 手动 |
| Chuck盘尺寸 | 8英寸 | |
| Chuck盘平面度 | 15μm | |
| 击穿电压 | >3000V | |
| X/Y/θ平台行程 | 粗调行程：205mmx205mm 微调行程：±5mmx±5mm 微调精度：1μm | |
| 金相显微镜 | 物镜：2X、5X、10X、20X、50X可选 目镜：10X、20X可选 管镜：1X、2X可选 |
